Корпус GBJ , Конфигурация соединения диодов 4 , Максимальное обратное напряжение диода 1 кВ, Прямое падение напряжения 1.1 В, Прямой ток диода (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 1000V V(RRM), Silicon , Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 150 °C
Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
---|---|---|---|---|---|
35043 шт | — |
26,40
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
|
|||||
|
|||||
|
|||||
Показать еще предложения
Скрыть предложения |
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.