SS8050 / Yangjie
Yangjie
Добавить к сравнению
Биполярный N-P-N - транзистор. Напряжение коллектор-эмиттер 25 В; ток коллектора 1500 мА; мощность рассеивания 300 мВт; коэффициент усиления по току h21: 50; fT 100 МГц; корпус SOT-23
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1668 шт | — |
123,59
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора1.5 А
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
