YJD106506DG1 / Yangjie
Yangjie
Добавить к сравнению
Корпус TO2522 , Схема включения диодов одиночный , Максимальное обратное напряжение диода 650 В, Прямой ток диода (средний) 9 А, Прямое падение напряжения 1.42 В, Особенности Schottky, SiC , Обратный ток диода 13.6 мкА, Емкость перехода 278.5 пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату, SMT
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO2522
-
Схема включения диодоводиночный
-
Максимальное обратное напряжение диода650 В
-
Прямой ток диода (средний)9 А
-
Прямое падение напряжения1.42 В
-
ОсобенностиSchottky, SiC
-
Обратный ток диода13.6 мкА
-
Емкость перехода278.5 пФ
-
Рабочая температура-55 °C
-
Рабочая температура175 °C
-
Монтажна плату, SMT
