YJG130G04A / Yangjie
Yangjie
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C 130 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.45 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.45 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.9 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 132 нКл, Рассеиваемая мощность 115 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 7 100 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток40 В
-
Ток стока номинальный при 25°C130 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.45 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.45 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.9 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора132 нКл
-
Рассеиваемая мощность115 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора7 100 пФ