YJG18N10A / Yangjie
Yangjie
%
Добавить к сравнению
Корпус PDFN8L5X6 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 49 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 49 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 52 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 51.4 нКл, Рассеиваемая мощность 45 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 2 071 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 54676 шт | — |
13,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусPDFN8L5X6
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C18 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)49 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min49 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max52 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора51.4 нКл
-
Рассеиваемая мощность45 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора2 071 пФ