YJG30N06A / Yangjie
Yangjie
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 16 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 17.5 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 51 нКл, Рассеиваемая мощность 45 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 2 027 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 108028 шт | — |
18,45
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C30 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)16 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min16 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max17.5 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора51 нКл
-
Рассеиваемая мощность45 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора2 027 пФ