YJL03N06B / Yangjie
Yangjie
%
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 86 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 86 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 100 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 16 В, Заряд затвора 13.8 нКл, Рассеиваемая мощность 1.2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 451 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 232325 шт | — |
2,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C3 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)86 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min86 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max100 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора16 В
-
Заряд затвора13.8 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора451 пФ