Применение IGBT в преобразовательной технике
В свое время писатель-юморист Андрей Кнышев сказал: «Всякий человек, умеющий читать и писать, должен рано или поздно задуматься: так что все-таки делать – читать или писать?» Столь же насущный вопрос рано или поздно встает перед разработчиком силовой электроники: что применять в качестве полупроводникового ключа в преобразователе – полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) или транзисторы с аналогичным затвором, но биполярные (IGBT)? Инженерные расчеты и конкретные примеры в публикуемой статье помогут сделать выбор.
Статья в формате PDF (317 КБ)
Опубликовано: 03.09.2013