Новые IGBT STGW40N120KD повысят КПД ваших устройств

Новые IGBT STGW40N120KD выполнены с использованием усовершенствованного технологического процесса PowerMESH™, что привело к превосходному соотношению между временем переключения и сопротивлением канала в открытом состоянии.

Транзисторы могут работать при напряжении коллектор-эмиттер до 1200 В и токе коллектора до 80 А. Время включения не превышает 10 мксек.

Отличительные особенности:

низкое сопротивление в открытом состоянии;
высокий рабочий ток;
малый заряд переключения на затворе;
время включения 10 мксек;
встроенный защитный IGBT-диод.

Тип корпуса STGW40N120KD:

Тип корпуса STGW40N120KD

Назначение выводов STGW40N120KD:

Назначение выводов STGW40N120KD

Предельные эксплуатационные данные:

Напряжение коллектор-эмиттер (VGE = 0)	VCES	1200 В
Постоянный ток коллектора при TC= 25 °C	IC	80 А
Постоянный ток коллектора при TC= 100 °C	IC	40 А
Запирающий ток	ICL	85 А
Импульсный ток коллектора	ICP	120 А
Напряжение затвор-эмиттер	VGE	±25 В
Время включения, при V_CE = 0.5 В (BR)CES Tj = 125 °C, RG = 10 Ом, V_GE = 12 В	tSCW	10 мксек
Максимальная рассеиваемая мощность при TC = 25 °C	PTOT	240 Вт
Среднеквадратичный (RMS) прямой ток через диод при TC = 25 °C	IF	30 A
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms sinusoidal	IFSM	100 A
Рабочая температура кристалла	Tj	– 55...125 °C

Области применения: системы управления электродвигателями.

Анонс составил и подготовил
Самоделов Андрей
e-mail:contact@terraelectronica.ru

Опубликовано: 02.07.2010