Новое семейство SiC-диодов Шоттки 1200V Z-Rec Cree Power

C4D20120A и C4D40120D – представители нового семейства 1200V Z-Rec SiC-диодов компании Cree Power, лидера в области производства устройств на карбиде кремния (SiC), оптимизированных по цене и производительности. Компания усовершенствовала SiC диод Шоттки для силовых применений, создав семейство с широким диапазоном токов в различных корпусах.

Для разработки следующего поколения силовых устройств инженеры-конструкторы используют уникальные преимущества производительности SiC диодов Шоттки – нулевые потери обратного восстановления, потери переключения, независящие от температуры, более высокую рабочую частоту. Новое семейство допускает более высокую плотность тока без потери производительности по сравнению с предыдущей генерацией SiC диодов Шоттки. Успехи Cree Power в проектировании SiC устройств и непрерывное совершенствование технологических процессов позволяют предлагать значительно более высокие значения силы тока по более низкой стоимости на ампер.

Z-Rec диоды компании Cree Power имеют нулевые потери обратного восстановления и, как следствие, 50% уменьшение потерь на переключение по сравнению с диодами на основе кремния. Это также увеличивает производительность во всем температурном диапазоне, что упрощает проектирование схем и уменьшает потребность в сложном управлении  температурными режимами. В сочетании с 1200V SiC MOSFET эти SiC диоды Шоттки позволяют реализовать схемы «all-SiC»  с возможностью управления на частотах до четырех раз больших, по сравнению со стандартными кремниевыми диодами и IGBT. Это обеспечивает уменьшение размера, сложности и стоимости схемы инвертора, при достижении чрезвычайно высокой системной эффективности. Наконец, у этого нового семейства есть дополнительные преимущества по сравнению с предыдущим семейством SiC диодов Шоттки – более высокие пиковые токи, что позволяет увеличить полную надежность систем.

Отличительные особенности:

• максимальное обратное напряжение: 1200 В;
• постоянный прямой ток:
  • 1 x 20 А,
  • 2CC x 40 А;
• падение напряжения на переходе: 1,8 В;
• количество диодов в корпусе:
  • 1 (C4D20120A),
  • 2 с общим катодом (C4D40120D);
• ёмкость перехода: 1500 пФ
• температурный диапазон: -55°C...+175°C;
• корпуса: TO-220-2 (C4D20120A) и TO-247-3 (C4D40120D).

Области применения: демпферные и антипараллельные диоды в солнечных инверторах и 3-фазовых схемах электропривода, а так же в корректорах коэффициента мощности (PFC), демпферных схемах в UPS и источниках питания; могут использоваться в приложениях, где предъявляются более высокие требования к устройствам питания.

Опубликовано: 08.07.2011