500 В MOSFET-транзисторы IRFB812, IRFR812 и IRFR825 со значительно сниженным зарядом затвора
IRFB812PbF, IRFR812PbF и IRFR825PbF – новые 500-вольтовые MOSFET-транзисторы компании International Rectifier доступны в стандартных корпусах TO-220 и D-PAK. При создании новых транзисторов особое внимание было уделено снижению заряда затвора (Qg), что в совокупности с остальными характеристиками наделяет их неоспоримым преимуществом при применении в импульсных источниках питания, системах управления электроприводом и других системах, требующих большой частоты работы силового преобразователя.
В отличие от большинства других MOSFET из линейки IR, которые в данное время производятся по планарной или Trench технологиям, новые транзисторы выполнены по технологии FredFET и поэтому содержат быстровосстанавливающийся внутренний паразитный диод. Одним из преимуществ MOSFET с более быстрым временем обратного восстановления внутреннего паразитного диода является большая устойчивость при работе в преобразователях с переключением при нулевом напряжении.
| Наименование | Vds, В | Qg, нКл | Id @ 25°C, A | Rds(on) @ 10 В, Ом | Корпус |
| 500 | 13,3 | 3,6 | 1,75 | TO-220AB | |
| 500 | 13,3 | 3,6 | 1,85 | D-PAK | |
| 500 | 22,7 | 6,0 | 1,05 | D-PAK |
Опубликовано: 13.12.2012