Отладочная плата полумоста на основе eGaN FET транзисторов EPC2015 откомпании Efficient Power Conversion Corporation

EPC9001 - отладочная плата полумоста на основе eGaN (Нитрид Галлия) FET транзисторов с индуцированным каналом EPC2015. Максимальное значение выходного напряжения полумоста 40 V, а максимальное значение тока - 15 А. Назначение платы EPC9001 – упрощение оценки eGaN FET транзисторов EPC2015, а также критических параметров компонентов платы. eGaN FET транзисторы имеют целый ряд преимуществ по сравнению с традиционными MOSFET. Среди них можно отметить низкое сопротивление Rds открытого канала (в данном случае не более 4 mOhm), небольшая емкость, повышенная радиационная устойчивость и др.

На оценочной плате с габаритами 2х1.5 дюйма установлены не только два eGaN FET транзистора EPC2015 в конфигурации полумоста, но и драйвер затвора LM5113 от Texas Instruments, стабилизатор напряжения питания драйвера, развязывающие конденсаторы и др. Плата содержит все необходимые компоненты, оптимальным образом расположенные на плате. Кроме того, имеются тестовые точки, где легко можно посмотреть форму сигнала и измерить его параметры.

Ниже приведена функциональная схема отладочной платы EPC9001.

Отличительные особенности:

• полумост на основе двух eGaN FET транзисторов EPC2015 с индуцированным каналом;
• дайвер затвора LM5113;
• максимальное выходное напряжение коммутационного узла 40 V;
• максимальный выходной ток 15 А;
• тип управления: ШИМ;
• отсутствует защита по току;
• отсутствует защита от перегрева.

Области применения:

• устройства управления нагрузкой;
• высокоскоростные DC-DC преобразователи;
• источники питания;
• инверторы и др.

Дополнительную документацию, включая схему, гербер, список комплектующих, установленных на плате (Bill of Materials) можно найти на сайте производителя.

Анонс составил и подготовил
Шрага Александр,
office@terraelectronica.ru

Опубликовано: 26.11.2014