Отладочная плата полумоста EPC9016 на основе трех eGaN FET транзисторов EPC2015

EPC9016 - отладочная плата на основе 40V EPC2015 eGaN (Нитрид Галлия) FET транзисторов с индуцированным каналом с максимальным рабочим током 25 А. Транзисторы включены в конфигурацию полумоста с установленным на плату драйвером затвора. Назначение платы EPC9016 – упрощение оценки возможностей транзисторов EPC2015, а также изучение критических параметров компонентов платы. Плата может быть легко установлена в существующие преобразователи.

На отладочной плате с габаритами 2х1.5 дюйма установлены три eGaN FET транзистора EPC2015 в конфигурации полумоста и драйвер затвора LM5113 от Texas Instruments. В верхнем плече полумоста установлен один транзистор, а в нижнем плече – два, включенные параллельно. Схема рекомендована для использования в понижающих преобразователях с высоким коэффициентом понижения (high step-down ratio buck). Плата содержит все необходимые компоненты, оптимальным образом расположенные на печатной плате. Кроме того, имеются тестовые точки, где легко можно посмотреть форму сигнала, измерить его параметры и, таким образом, оценить эффективность транзисторов EPC2015.

Ниже, на рис. 1 приведена функциональная схема отладочной платы EPC9016.

Рис.1. Функциональная схема отладочной платы EPC9016

Подключения к плате полумоста для обеспечения работоспособности и проведения измерений показаны на рис. 2.

Рис. 2. Внешние подключения к плате полумоста для обеспечения работоспособности и проведения измерений.

Рис. 3 Принципиальная электрическая схема отладочной платы полумоста на основе EPC2016

Транзисторы EPC2015 имеют относительно небольшие габариты, что увеличивает требования к их охлаждению. Отладочная плата EPC2016 предназначена для использования в условиях невысоких температур окружающей среды в условиях конвекционного охлаждения. При применении принудительного охлаждения можно существенно увеличить номинальный ток устройства. При этом необходимо обеспечить температуру транзисторов, не превышающую 125 градусов Цельсия, которая является критической для EPC2015.

Внимание: на отладочной плате отсутствует защита по току и защита от перегрева!

Отличительные особенности:

• полумост на основе трех eGaN FET транзисторов EPC2015 с индуцированным каналом;
• в нижнем плече полумоста использованы два параллельно включенных транзистора EPC2015;
• драйвер затвора LM5113 (Texas Instruments);
• максимальное выходное напряжение коммутационного узла 40 V;
• максимальный выходной ток 25 А;
• тип управления: ШИМ;
• отсутствует защита по току;
• отсутствует защита от перегрева.

Области применения:

• устройства управления нагрузкой;
• высокоскоростные DC-DC преобразователи;
• источники питания;
• инверторы и др.

Дополнительную документацию, включая схему, гербер, список комплектующих, установленных на плате (Bill of Materials) и др. можно найти на сайте производителя

Анонс составил и подготовил
Шрага Александр,
office@terraelectronica.ru

Опубликовано: 28.11.2014