Биполярные транзисторы
?page=45&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Тип проводимости и конфигурация
-
Комплементарная пара
-
Рассеиваемая мощность
-
Напряжение КЭ максимальное
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
-
Ток коллектора
-
Граничная рабочая частота
-
Коэффициент усиления по току
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 3931
Вид:
| | | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC113ZE (JSCJ) | 1 394 400 шт. | от 1,27 |
14 дн. |
 |
— | — |
 |
— | — | — | — | — | — |
 |
 |
— |
| DTC113ZUA (YJ) | 111 000 шт. | от 1,48 |
50 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
| DTC113ZUAT106 (ROHM) | 166 630 шт. | от 2,39 |
18 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
| DTC113ZVA (JSCJ) | 628 000 шт. | от 1,83 |
45 дн. |
 |
— | — |
 |
— | — | — | — | — | — |
 |
 |
— |
| DTC114EE (JSCJ) | 3 485 464 шт. | от 0,80 |
14 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
| DTC114GUAT106 (ROHM) | 12 166 шт. | от 11,73 |
13 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
| DTC114TCA (JSCJ) | 1 618 060 шт. | от 0,82 |
14 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
| DTC114TCA (YJ) | 111 000 шт. | от 1,48 |
50 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
| DTC114TE (JSCJ) | 1 219 040 шт. | от 1,04 |
14 дн. |
 |
— | — |
 |
— | — | — | — | — | — |
 |
— | — |
| DTC114TUA (YJ) | 111 000 шт. | от 1,48 |
50 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
| DTC114TUAT106 (ROHM) | 1 870 шт. | от 26,10 |
4 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
| DTC114WCA (JSCJ) | 2 705 620 шт. | от 0,81 |
14 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN |
| DTC114WE (JSCJ) | 900 000 шт. | от 1,27 |
45 дн. |
 |
— | — |
 |
— | — | — | — | — | — |
 |
 |
— |
| DTC114YCA (JSCJ) | 1 990 540 шт. | от 0,88 |
13 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
| DTC114YE (JSCJ) | 3 669 440 шт. | от 1,16 |
14 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
| DTC114YE (YJ) | 12 216 шт. | от 1,57 |
14 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
| DTC115EE (JSCJ) | 1 291 200 шт. | от 1,13 |
14 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
| DTC115EUAT106 (ROHM) | 17 304 шт. | от 12,41 |
25 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
| DTC123ECA (JSCJ) | 2 583 300 шт. | от 0,81 |
14 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
| DTC123EE (JSCJ) | 1 250 260 шт. | от 1,11 |
19 дн. |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
bipolyarnye-tranzistory