Биполярные транзисторы
?page=30&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Тип проводимости и конфигурация
-
Комплементарная пара
-
Рассеиваемая мощность
-
Напряжение КЭ максимальное
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
-
Ток коллектора
-
Граничная рабочая частота
-
Коэффициент усиления по току
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 11009
Вид:
| | | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC849CLT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
|
BC856BDW1T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon |
|
BC856BLT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
BC856BWT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
BC857BDW1T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon |
|
BC857BMB.315 (NEX-NXP)
|
не поставляется | — | — |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|
BC857CDW1T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon |
|
BC857CLT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
BC858ALT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
BC858BLT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
BCP53T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
|
BCP56-10T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
|
BCP56-16 (DIODES)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— | — | — |
|
BCP56-16 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | SOT223 100V 1.0A 1.4W NPN T/R |
|
BCP56-16T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
|
BCP56T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
|
BCP69T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
|
BCR108 (INFIN)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 |
|
BCR108E6327 (INFIN)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 |
|
BCR112E6327 (INFIN)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 |
bipolyarnye-tranzistory