Биполярные транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Биполярные транзисторы

Распродажа
Наименование
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Примечание

Фильтр×

только в наличии ×
Производитель:
ROHM ×

Найдено: 851

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Тип проводимости и конфигурация	Комплементарная пара	Рассеиваемая мощность	Напряжение КЭ максимальное	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии	Ток коллектора	Граничная рабочая частота	Коэффициент усиления по току, min	Коэффициент усиления по току, max	Встроенное сопротивление в базовой цепи	Встроенное сопротивление в цепи БЭ	Примечание
2SB1132T100Q (ROHM) % Выбрать →	13 565 шт.	от 6,70	0 дн. Немедленно		—			—		—		—	—	—	—
DTC114EKAT146 (ROHM) Выбрать →	4 039 531 шт.	от 1,20	0 дн. Немедленно		—			—			—	—	—	—	—
UMD9NTR (ROHM) % Выбрать →	288 541 шт.	от 3,10	0 дн. Немедленно		—			—		—		—	—	—	—
2SB1386T100R (ROHM) Выбрать →	118 107 шт.	от 9,50	0 дн. Немедленно		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
DTC144EKAT146 (ROHM) % Выбрать →	534 626 шт.	от 1,00	0 дн. Немедленно		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DTD114EKT146 (ROHM) Выбрать →	271 086 шт.	от 8,50	0 дн. Немедленно		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DTC143ZETL (ROHM) хит % Выбрать →	710 883 шт.	от 0,81	0 дн. Немедленно		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
UMF5NTR (ROHM) Выбрать →	10 478 шт.	от 36,64	5 дн.		—			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
DTC114ESATP (ROHM) Выбрать →	1 010 шт.	от 11,83	3 дн.		—			—			—	—	—	—	—
2SC5060 (ROHM) Выбрать →	80 шт.	от 29,81	6 дн.		—		—	—		—		—	—	—
2SD1864 (ROHM) Выбрать →	1 328 шт.	от 109,24	30 дн.	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
2SA1797T100P (ROHM) Выбрать →	336 шт.	от 51,56	25 дн.	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
2SD2391T100Q (ROHM) Выбрать →	3 594 шт.	от 17,21	12 дн.		—							—	—	—	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2SC4081T106Q (ROHM) Выбрать →	244 410 шт.	от 1,22	13 дн.		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SB1197KT146Q (ROHM) Выбрать →	129 690 шт.	от 1,77	3 дн.		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SD2652T106 (ROHM) Выбрать →	40 081 шт.	от 11,53	11 дн.		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC2412KT146Q (ROHM) Выбрать →	1 215 535 шт.	от 1,13	12 дн.		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DTC114EUAT106 (ROHM) Выбрать →	429 558 шт.	от 1,18	3 дн.		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC4081T106R (ROHM) Выбрать →	699 778 шт.	от 1,04	12 дн.		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC2412KT146R (ROHM) Выбрать →	3 927 462 шт.	от 1,08	12 дн.		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 43, показано 20 товаров из 851

Биполярные транзисторы – активные полупроводниковые компоненты, предназначенные для получения усиленной мощности сигнала при оптимальном значении управляющего напряжения на соответствующем p-n переходе.

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на два типа: тип p - n–p и тип n-p-n.

Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы.

Основное назначение кремниевого транзистора в схеме с общим эмиттером состоит в усилении тока коллектора при заданном расчётном значении управляющего напряжения на p-n переходе эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение рабочей точки на p-nпереходе между эмиттером и базой составляет 0,7 В.

Ключевыми в оценке работы транзисторов являются: альфа, бета и h-параметры.

Биполярные транзисторы получили широкое распространение и применение в научных целях, в области промышленного приборостроения, используются в технике связи и медицине.