Биполярные транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Биполярные транзисторы

Распродажа
Наименование
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Примечание

Фильтр×

только в наличии ×
Производитель:
ROHM ×

Найдено: 866

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Тип проводимости и конфигурация	Комплементарная пара	Рассеиваемая мощность	Напряжение КЭ максимальное	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии	Ток коллектора	Граничная рабочая частота	Коэффициент усиления по току, min	Коэффициент усиления по току, max	Встроенное сопротивление в базовой цепи	Встроенное сопротивление в цепи БЭ	Примечание
2SB1132T100Q (ROHM) % Выбрать →	7 466 шт.	от 33,06	0 дн. Немедленно		—			—		—		—	—	—	—
DTC114EKAT146 (ROHM) Выбрать →	3 294 820 шт.	от 2,56	0 дн. Немедленно		—			—			—	—	—	—	—
UMD9NTR (ROHM) % Выбрать →	349 397 шт.	от 4,49	0 дн. Немедленно		—			—		—		—	—	—	—
2SB1386T100R (ROHM) Выбрать →	223 061 шт.	от 8,39	0 дн. Немедленно		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
DTC144EKAT146 (ROHM) % Выбрать →	631 683 шт.	от 2,96	0 дн. Немедленно		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DTD114EKT146 (ROHM) % Выбрать →	353 680 шт.	от 4,93	0 дн. Немедленно		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DTC143ZETL (ROHM) % Выбрать →	1 434 557 шт.	от 1,54	0 дн. Немедленно		—							—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
UMF5NTR (ROHM) Выбрать →	13 474 шт.	от 36,41	5 дн.		—			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
2SC1740S (ROHM) хит Выбрать →	15 шт.	от 91,62	4 дн.	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
2SD1292 (ROHM) Выбрать →	14 шт.	от 36,63	4 дн.		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
DTA124ES (ROHM) Выбрать →	3 шт.	от 120,23	4 дн.		—		—	—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
DTA114ES (ROHM) Выбрать →	14 шт.	от 91,62	4 дн.		—		—	—		—		—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
DTC114ESATP (ROHM) Выбрать →	1 076 шт.	от 11,29	3 дн.		—			—			—	—	—	—	—
2SB1565 (ROHM) Выбрать →	22 шт.	от 387,40	4 дн.		—			—		—		—	—	—	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2SA1776 (ROHM) Выбрать →	293 шт.	от 15,81	4 дн.		—		—	—		—		—	—	—
2SD2144 (ROHM) Выбрать →	2 шт.	от 120,23	4 дн.	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
2SA934 (ROHM) Выбрать →	58 шт.	от 48,54	4 дн.		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SC5060 (ROHM) Выбрать →	80 шт.	от 26,28	6 дн.		—		—	—		—		—	—	—
2SC2389 (ROHM) Выбрать →	2 532 шт.	от 36,96	4 дн.		—			—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SA1633 (ROHM) Выбрать →	1 шт.	от 1 202,29	4 дн.		—			—				—	—	—	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 44, показано 20 товаров из 866

Биполярные транзисторы – активные полупроводниковые компоненты, предназначенные для получения усиленной мощности сигнала при оптимальном значении управляющего напряжения на соответствующем p-n переходе.

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на два типа: тип p - n–p и тип n-p-n.

Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы.

Основное назначение кремниевого транзистора в схеме с общим эмиттером состоит в усилении тока коллектора при заданном расчётном значении управляющего напряжения на p-n переходе эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение рабочей точки на p-nпереходе между эмиттером и базой составляет 0,7 В.

Ключевыми в оценке работы транзисторов являются: альфа, бета и h-параметры.

Биполярные транзисторы получили широкое распространение и применение в научных целях, в области промышленного приборостроения, используются в технике связи и медицине.