IGBT транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

IGBT транзисторы

Распродажа
Производитель
Наименование
Корпус
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип
Примечание

Фильтр×

только в наличии ×

Найдено: 388

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Напряжение К-Э максимальное	Время восстановления диода	Заряд затвора	Тип входа	Тип	Примечание
STGP19NC60HD (ST) Выбрать →	2 881 шт.	от 129,00	0 дн. Немедленно					—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
GT50JR22 (TOS) хит Выбрать →	7 973 шт.	от 92,00	0 дн. Немедленно		—	—	—	—	—
DG15X12T2 (STARPWR) хит Выбрать →	12 911 шт.	от 81,50	0 дн. Немедленно		—				Trench IGBT, Low loss
DG10X06T1 (STARPWR) хит Выбрать →	4 116 шт.	от 66,50	0 дн. Немедленно		—				Trench IGBT, Low loss
DG15X06T1 (STARPWR) хит % Выбрать →	3 944 шт.	от 42,20	0 дн. Немедленно		—				Trench IGBT, Low loss
DG40F12T2 (STARPWR) хит Выбрать →	4 708 шт.	от 186,00	0 дн. Немедленно		—
DG40X12T2 (STARPWR) Выбрать →	9 039 шт.	от 234,00	0 дн. Немедленно		—				Trench IGBT, Low loss
DG50Q12T2 (STARPWR) % Выбрать →	4 637 шт.	от 286,00	0 дн. Немедленно		—			—	—
DG50X06T2 (STARPWR) % Выбрать →	7 890 шт.	от 177,00	0 дн. Немедленно		—				Trench IGBT, Low loss
DG75Q12T2 (STARPWR) % Выбрать →	4 154 шт.	от 414,00	0 дн. Немедленно	—	—			—	—
DG75X12T2 (STARPWR) Выбрать →	916 шт.	от 567,00	0 дн. Немедленно		—				Trench IGBT, Low loss
DG40Q12T2LZ (STARPWR) % Выбрать →	2 088 шт.	от 197,00	0 дн. Немедленно		—			—	—
STGD5NB120SZT4 (ST) Выбрать →	3 313 шт.	от 173,33	25 дн.		—	—		—	—
STGB10NB37LZT4 (ST) Выбрать →	4 145 шт.	от 399,77	3 дн.		—			—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 375V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
STGP6NC60HD (ST) Выбрать →	7 557 шт.	от 37,57	3 дн.					—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STGP20NC60V (ST) Выбрать →	4 681 шт.	от 323,16	3 дн.		—			—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STGD3NB60SDT4 (ST) Выбрать →	11 381 шт.	от 67,59	3 дн.					—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
STGW40NC60KD (ST) Выбрать →	510 шт.	от 452,33	30 дн.					—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
STGF19NC60HD (ST) хит Выбрать →	422 шт.	от 160,23	3 дн.					—	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STGF10NB60SD (ST) Выбрать →	6 942 шт.	от 135,70	25 дн.					—	IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 20, показано 20 товаров из 388

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.