Полевые транзисторы
?page=5&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- Производитель:LRC ×
Найдено: 809
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LN2294LT1G (LRC) | 1 464 200 шт. | от 4,24 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2296LT1G (LRC) | 540 000 шт. | от 4,60 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2301GLT1G (LRC) | 1 908 000 шт. | от 1,29 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2302ALT1G (LRC) | 926 500 шт. | от 2,98 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2302BLT1G (LRC) | 3 871 086 шт. | от 1,44 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2302FLT1G (LRC) | 4 128 000 шт. | от 0,58 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2302KLT1G (LRC) | 1 236 000 шт. | от 2,00 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2302LT1G (LRC) | 2 074 314 шт. | от 2,05 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | — | — |
| LN2306EFLT1G (LRC) | 1 000 900 шт. | от 2,47 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| LN2306ELT1G (LRC) | 1 337 420 шт. | от 2,31 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2306LT1G (LRC) | 3 872 442 шт. | от 1,98 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | — | — |
| LN2308ELT1G (LRC) | 648 000 шт. | от 3,84 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| LN2308LT1G (LRC) | 1 335 288 шт. | от 3,03 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2308SLT1G (LRC) | 768 000 шт. | от 3,23 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2312LT1G (LRC) | 1 929 446 шт. | от 0,41 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| LN2312SLT1G (LRC) | 1 080 000 шт. | от 2,28 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
| LN2320EDT2AG (LRC) | 552 400 шт. | от 4,75 |
11 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| LN2322EDT2AG (LRC) | 336 000 шт. | от 7,43 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| LN2322ELT1G (LRC) | 276 000 шт. | от 8,89 |
16 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— | — |
| LN2324DT2AG (LRC) | 369 940 шт. | от 6,71 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
polevye-tranzistory