LN2306LT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 5.8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 38 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 38 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 38 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -12 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 12 В, Рассеиваемая мощность 1.4 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3872442 шт | — |
6,68
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C5.8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)38 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min38 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max38 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-12 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max12 В
-
Рассеиваемая мощность1.4 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB