Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

Полевые транзисторы

  • Производитель
  • Наименование
  • Корпус
  • Конфигурация и полярность
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Ток стока номинальный при 25°C
  • Сопротивление открытого канала (мин)
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
  • Диапазон номинальных напряжений затвора
  • Максимальное напряжение затвора
  • Заряд затвора
  • Рассеиваемая мощность
  • Примечание
  • Ёмкость затвора
  • Особенности
Фильтр×
  • ×
Найдено: 6220
Вид:
Наименование
|
Рекомендуем
Количество
Цена с НДС
Отгрузка
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
100N03A (YOUTAI) хит 445 749 шт. от 12,91 0 дн.
Немедленно
15N10 (YOUTAI) хит % 869 042 шт. от 18,48 0 дн.
Немедленно
20N06 (YOUTAI) хит 780 028 шт. от 14,81 0 дн.
Немедленно
25N06 (YOUTAI) хит 516 815 шт. от 12,36 0 дн.
Немедленно
2N7002 (YJ) хит 1 286 434 шт. от 0,99 0 дн.
Немедленно
2N7002B (YOUTAI) 2 377 704 шт. от 1,67 0 дн.
Немедленно
2SK3019TL (ROHM) хит 238 716 шт. от 41,63 0 дн.
Немедленно
2SK3065T100 (ROHM) 730 612 шт. от 13,30 0 дн.
Немедленно
30N06 (YOUTAI) хит % 942 297 шт. от 16,14 0 дн.
Немедленно
AO3400A (YOUTAI) хит 4 221 471 шт. от 2,76 0 дн.
Немедленно
AO3401A (HUASHUO) хит 307 897 шт. от 9,26 0 дн.
Немедленно
AO3401A (YOUTAI) хит 4 512 070 шт. от 2,52 0 дн.
Немедленно
AO3407A (YOUTAI) 3 044 052 шт. от 2,45 0 дн.
Немедленно
BSS123 (YJ) хит 697 555 шт. от 0,90 0 дн.
Немедленно
BSS84 (YJ) хит 727 557 шт. от 0,82 0 дн.
Немедленно
FDN304P (YOUTAI) хит % 1 322 252 шт. от 6,12 0 дн.
Немедленно
FS8205A (FORTUNE) хит 12 875 шт. от 12,22 0 дн.
Немедленно
IRF7319TRPBF (TECH PUB) хит 102 186 шт. от 8,05 0 дн.
Немедленно
IRLML6244 (HOTTECH) хит 1 033 969 шт. от 2,04 0 дн.
Немедленно
IRLML6346 (HOTTECH) 1 060 506 шт. от 1,47 0 дн.
Немедленно

Общее описание

MOSFET - это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы ведущих азиатских производителей.

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 13.10.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 13.10.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.