Полевые транзисторы
?page=6&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 1026
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3878[F] (TOS) | 20 шт. | от 1 389,57 |
25 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SJ168TE85LF (TOS) | 91 331 шт. | от 97,41 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SJ305TE85LF (TOS) | 36 180 шт. | от 27,62 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK1828TE85LF (TOS) | 2 018 шт. | от 14,69 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK1829TE85LF (TOS) | 23 584 шт. | от 26,32 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2009TE85LF (TOS) | 214 798 шт. | от 20,49 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2034TE85LF (TOS) | 6 000 шт. | от 128,02 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— | — |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2313[F] (TOS) | 4 940 шт. | от 600,47 |
4 дн. |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2599 (TOS) | 28 шт. | от 81,49 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2615 (TOS) | 82 шт. | от 44,86 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2719[F] (TOS) | 1 280 шт. | от 874,41 |
25 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2917 (TOS) | 269 шт. | от 1 471,69 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK3265 (TOS) | 60 шт. | от 128,02 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 700V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| 2SK3700[F] (TOS) | 900 шт. | от 213,99 |
25 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK3797 (TOS) | 275 шт. | от 64,59 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
MOSFET, N, 600V, TO-220SIS; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):430mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes | — | — |
| 2SK4013 (TOS) | 1 004 шт. | от 59,31 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK4017[Q] (TOS) | 10 000 шт. | от 120,23 |
16 дн. |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK4108 (TOS) | 21 шт. | от 455,40 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| SSM10N954L.EFF (TOS) | 36 720 шт. | от 70,54 |
18 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
| SSM10N954L.EFF[S (TOS) | 18 306 шт. | от 19,43 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
polevye-tranzistory