Полевые транзисторы
?page=3&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Найдено: 47327
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STN1HNK60 (ST) хит | 89 287 шт. | от 11,20 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 600V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| STP13NK60Z (ST) | 8 626 шт. | от 124,00 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| STP15NK50ZFP (ST) % | 155 шт. | от 62,50 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Стабилитрон в цепи базы. |
 |
— |
| STP200NF04 (ST) | 3 711 шт. | от 36,80 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| STP36NF06L (ST) | 10 991 шт. | от 61,50 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| STP4NK80ZFP (ST) | 5 006 шт. | от 62,00 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| STP5NK50Z (ST) % | 5 567 шт. | от 41,80 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| STP6NK90ZFP (ST) хит | 13 016 шт. | от 82,00 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
SUD09P10-195-GE3 (VISH/IR)
|
не поставляется | — | — |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| WML22N50C4 (WAYON) | 2 089 шт. | от 49,50 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | — | — |
| WMM340N20HG2 (WAYON) | 23 707 шт. | от 69,00 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
— | — | — | — | — |
| 2N7000 (DC) хит | 236 769 шт. | от 3,40 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| 2N7002 (DC) % | 465 132 шт. | от 1,50 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
|
2N7002LT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
NFET SOT23 60V 115MA 7.5O |
 |
— |
| 2SB1370 (ISC) % | 14 552 шт. | от 37,90 |
0 дн. Немедленно |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SC6090 (ISC) % | 208 шт. | от 83,50 |
0 дн. Немедленно |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK1317-E (RENESAS) % | 12 449 шт. | от 157,00 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1500V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
AO4828 (AOS)
|
не поставляется | — | — |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|
IRF2903ZPBF (INFIN)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
 |
— |
|
IRF3415PBF (INFIN)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
 |
— |
polevye-tranzistory