2N3440 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус TO205AD3 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 250 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 15 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 376 шт | — |
120,86
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO205AD3
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность5 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное250 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота15 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39