2SB1188T100Q / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR,PNP,32V,2A,SO-89
Корпус SOT89 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 32 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 800 мВ, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 273226 шт | — |
99,62
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT89
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное32 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии800 мВ
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon