2SC2068 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 75 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1.5 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота75 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin