2SD871 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 600 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 5 В, Ток коллектора 6 А, Граничная рабочая частота 3 МГц, Коэффициент усиления по току, min 8 , Примечание Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность50 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное600 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии5 В
-
Ток коллектора6 А
-
Граничная рабочая частота3 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min8
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin