Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация 2 NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.