BC847S / JSCJ
JSCJ
%
Добавить к сравнению
Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 250 мВ, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 110 , Коэффициент усиления по току, max 630 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 2122655 шт | — |
0,84
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT363
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии250 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min110
-
Коэффициент усиления по току, max630
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN
