BSS138 / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 50 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 200 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3.5 Ом, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток50 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса200 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3.5 Ом
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET