Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография MMBT4401 Diodes временно отсутствует

MMBT4401 / Diodes

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Предлагаем замену

MMBT4401LT1

MMBT4401LT1 (ONS) 33,17

MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G (ONS) 0,63

MMBT4401LT3G

MMBT4401LT3G (ONS) 1,56

MMBT4401

% MMBT4401 (YJ) 0,54

Для MMBT4401 SHIKUES фотографии временно нет

MMBT4401 (SHIKUES) 0,62

Для MMBT4401 F2 SUNCO фотографии временно нет

MMBT4401 F2 (SUNCO) 0,59

Характеристики

Корпус

TO236
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

225 мВт
Напряжение КЭ максимальное

40 В
Ток коллектора

600 мА
Граничная рабочая частота

250 МГц
Коэффициент усиления по току, min

100
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 23.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 23.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰