MMBT4401LT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:40V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:0.4V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:100; ft, Typ:250MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 750 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии750 мВ
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB