FF200R12KE3 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип упаковки-Bulk (россыпь); Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А
Корпус —, Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 295 А, Напряжение насыщения К-Э 2.15 В, Время включения 400 нс, Время выключения 830 нс, Максимальная мощность 1.04 кВт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение К-Э максимальное1200
-
Ток коллектора максимальный при 25°C295 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.15 В
-
Время включения400 нс
-
Время выключения830 нс
-
Максимальная мощность1.04 кВт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel