FF200R12KE3HOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
'Силовой IGBT модуль, 62 мм, полумост, технология IGBT3.
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В
Номинальный ток при 25°C: 200 А
Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 1,7 В
Технология: IGBT3
Конфигурация: полумост
Корпус: 62 мм'
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В
Номинальный ток при 25°C: 200 А
Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 1,7 В
Технология: IGBT3
Конфигурация: полумост
Корпус: 62 мм'
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 295 А, Технология кристалла IGBT3 - E3 , Примечания IGBT MODULE VCES 1200V 200A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 1.05 кВт
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
Внутренняя схемаGB
-
Кол-во ключей в модуле2
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C295 А
-
Технология кристаллаIGBT3 - E3
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 1200V 200A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность1.05 кВт