SKM200GB125D / Semikron
Не поставляется
Добавить к сравнению
Ультрабыстрый IGBT модуль; 1200 В; 200 А; полумост; -40..150 °C; D-56
Технические характеристики:
- Внутренняя схема: GB;
- Количество ключей в модуле: 2;
- Напряжение К-Э: 1200 В;
- Рабочий ток при 25°C: 150 А;
- Технология кристалла: NPT IGBT (Uitrafast)
- Размеры: 106х62х31 мм
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 200 А, Технология кристалла NPT IGBT (Ultrafast) , Корпус —
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
Внутренняя схемаGB
-
Кол-во ключей в модуле2
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C200 А
-
Технология кристаллаNPT IGBT (Ultrafast)
-
Корпус—