FP25R12KT3BOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Внутренняя схема GDL, B6U , Кол-во ключей в модуле 7 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 40 А, Технология кристалла IGBT3 - T3 , Примечания IGBT MODULE VCES 1200V 40A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 155 Вт
Предлагаем замену
Характеристики
-
Внутренняя схемаGDL, B6U
-
Кол-во ключей в модуле7
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C40 А
-
Технология кристаллаIGBT3 - T3
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 1200V 40A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность155 Вт