IRF3710PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 100V, 57A, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 46A
Resistance, Rds On 0.028ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 180A
Lead Spacing 2.54mm
No. of Pins 3
Pin Configuration a
Pin Format 1 g
2 d/tab
3 s
Power Dissipation 150W
Power, Pd 150W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds Max 100V
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 57 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 23 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 130 нКл, Рассеиваемая мощность 200 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 3 130 пФ
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса57 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max23 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора130 нКл
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора3 130 пФ