IRF3710ZPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 59A
Resistance, Rds On 0.018ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Avalanche Single Pulse Energy Eas 170mJ
Current, Idm Pulse 240A
Lead Spacing 2.54mm
No. of Pins 3
Power Dissipation 160W
Power, Pd 160W
Power, Ptot 160W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.018ohm
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Time, trr Typ 50ns
Transistors, No. of 1
Typ Capacitance Ciss 2900pF
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs th Max 4V
Voltage, Vgs th Min 2V
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 59 А, Сопротивление открытого канала (мин) 18 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 18 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 18 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 120 нКл, Рассеиваемая мощность 160 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 2 900 пФ
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса59 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)18 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min18 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max18 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора120 нКл
-
Рассеиваемая мощность160 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора2 900 пФ