IRF5210STRLPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-262AB; Current, Idm Pulse:140A; Power, Pd:200W; Voltage, Vds:100V; Voltage, Vds Max:100V; Voltage, Vgs th Max:4V; Voltage, Vgs th Min:2V
Корпус TO262 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -100 В, Ток стока номинальный при 25°C 38 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 60 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 230 нКл, Рассеиваемая мощность 3.1 Вт, Примечание 100V P-ch MOSFET 38A in D2-PAK , Ёмкость затвора 2 780 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO262
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C38 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max60 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора230 нКл
-
Рассеиваемая мощность3.1 Вт
-
Примечание100V P-ch MOSFET 38A in D2-PAK
-
Ёмкость затвора2 780 пФ