IRF5210SPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P D2-PAK TUBE 50
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity P
Voltage, Vds Typ -100V
Current, Id Cont 40A
Resistance, Rds On 0.06ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V
Voltage, Vgs th Typ -4V
Case Style D2-PAK
Termination Type SMD
Alternate Case Style D2-PAK
Current, Idm Pulse 140A
Power Dissipation 200W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W
Power, Pd 200W
SMD Marking IRF5210S
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Voltage, Vds 100V
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs th Max -4V
Корпус D2PAK , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -100 В, Ток стока номинальный при 25°C 38 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 60 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 230 нКл, Рассеиваемая мощность 3.1 Вт, Примечание 100V P-ch MOSFET 38A in D2-PAK , Ёмкость затвора 2 780 пФ
Характеристики
-
КорпусD2PAK
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C38 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max60 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора230 нКл
-
Рассеиваемая мощность3.1 Вт
-
Примечание100V P-ch MOSFET 38A in D2-PAK
-
Ёмкость затвора2 780 пФ