IRF640N / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 200V
Current, Id Cont 18A
Resistance, Rds On 0.15ohm
Case Style TO-220AB
Current, Idm Pulse 72A
No. of Pins 3
Power Dissipation 150W
Power, Pd 150W
Voltage, Vds Max 200V
Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 150 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 150 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 44.7 нКл, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток200 В
-
Ток стока номинальный при 25°C18 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)150 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min150 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max150 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора44.7 нКл
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel