IRFB4020PBF / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению

MOSFET, N, 200V, TO-220AB Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A Resistance, Rds On 0.1ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4.9V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Base Number 4020 Current, Idm Pulse 52A N-channel Gate Charge 18nC No. of Pins 3 Power Dissipation 100mW Power, Pd 100W Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 4.9V Voltage, Vgs th Min 3V

Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max 100 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 29 нКл, Рассеиваемая мощность 100 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 1 200 пФ