IRF640NSTRLPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:18A; Package/Case:D2-PAK; Power Dissipation, Pd:150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:13A; Drain Source On Resistance @ 10V:150mohm
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 150 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 150 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 67 нКл, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание 200V N-ch MOSFET 18A in D2-PAK , Ёмкость затвора 1 160 пФ
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток200 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса18 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)150 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min150 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max150 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора67 нКл
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
Примечание200V N-ch MOSFET 18A in D2-PAK
-
Ёмкость затвора1 160 пФ