Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

IRF7313PBF / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению
MOSFET, DUAL, PP, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity Dual P Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 6.5A Resistance, Rds On 0.029ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 30A External Depth 5.2mm External Length / Height 1.75mm No. of Pins 8 Pin Configuration c Pin Format 1 S1 2 G1 3 S2 4 G2 5 D2 6 D2 7 D1 8 D1 Pitch, Row 6.3mm Power Dissipation 2W Power, Pd 2W SMD Marking 7313 Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Temperature, Tj Max 150°C Temperature, Tj Min -55°C Transistors, No. of 2 Voltage, Vds Max 30V Width, External 4.05mm

Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность DUAL N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 29 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 3 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 22 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

Характеристики

  • Корпус
    SOIC8
  • Конфигурация и полярность
    DUAL N
  • Максимальное напряжение сток-исток
    30 В
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
    6.5 А
  • Сопротивление открытого канала (мин)
    23 мОм
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min
    23 мОм
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max
    29 мОм
  • Диапазон номинальных напряжений затвора, min
    1 В
  • Диапазон номинальных напряжений затвора, max
    3 В
  • Максимальное напряжение затвора
    20 В
  • Заряд затвора
    22 нКл
  • Рассеиваемая мощность
    2 Вт
  • Примечание
    Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 09.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 09.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.