IRF7313PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, DUAL, PP, SO-8
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity Dual P
Voltage, Vds Typ 30V
Current, Id Cont 6.5A
Resistance, Rds On 0.029ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 1V
Case Style SOIC
Termination Type SMD
Current, Idm Pulse 30A
External Depth 5.2mm
External Length / Height 1.75mm
No. of Pins 8
Pin Configuration c
Pin Format 1 S1
2 G1
3 S2
4 G2
5 D2
6 D2
7 D1
8 D1
Pitch, Row 6.3mm
Power Dissipation 2W
Power, Pd 2W
SMD Marking 7313
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Temperature, Tj Max 150°C
Temperature, Tj Min -55°C
Transistors, No. of 2
Voltage, Vds Max 30V
Width, External 4.05mm
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность DUAL N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 29 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 3 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 22 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьDUAL N
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C6.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max29 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min1 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max3 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора22 нКл
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA