IRF7343PBF / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению

MOSFET, DUAL NP TUBE 95 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N/P Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 4.7A Resistance, Rds On 0.05ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Id Cont N Channel 2 4.7A Current, Id Cont P Channel 3.4A Current, Idm Pulse 38A Current, Idm Pulse N Channel 2 38A Current, Idm Pulse P Channel 27A External Depth 5.2mm External Length / Height 1.75mm No. of Pins 8 Pitch, Row 6.3mm Power Dissipation 2W Power, Pd 2W Resistance, Rds on N Channel Max 0.05ohm Resistance, Rds on P Channel Max 0.105ohm SMD Marking F7343 Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Temperature, Tj Max 150°C Temperature, Tj Min -55°C Transistors, No. of 2 Voltage, Vds 2V Voltage, Vds Max 55V Voltage, Vds N Channel 1 55V Voltage, Vds P Channel 1 55V Width, External 4.05mm

Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность N+P , Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C 4.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 95 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min 105 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max 105 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 26 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Ёмкость затвора 740 пФ