IRFB59N10D / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 100V, 59A, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 59A
Resistance, Rds On 0.025ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 5.5V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 236A
No. of Pins 3
Power Dissipation 200W
Power, Pd 200W
Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs th Max 5.5V
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 59 А, Сопротивление открытого канала (мин) 25 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 25 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 25 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 76 нКл, Рассеиваемая мощность 200 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C59 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)25 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min25 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max25 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора76 нКл
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel