IRG4PF50WDPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, 900V, 51A, TO-247AC
Transistor Type IGBT
Transistor Polarity N Channel
Voltage, Vces 900V
Current Ic Continuous a Max 51A
Voltage, Vce Sat Max 2.25V
Power Dissipation 200W
Case Style TO-247AC
Termination Type Through Hole
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 900V
Current, Icm Pulsed 204A
Device Marking IRG4PF50WDPBF
No. of Pins 3
Power, Pd 200W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Time, Fall 220ns
Time, Fall Max 190ns
Time, Rise 52ns
Transistors, No. of 1
Корпус TO247AC , Напряжение К-Э максимальное 900 , Ток коллектора максимальный при 25°C 51 А, Напряжение насыщения К-Э 2.7 В, Время включения 71 нс, Время выключения 150 нс, Время восстановления диода 90 нс, Максимальная мощность 200 Вт, Заряд затвора 160 нКл, Тип входа стандартный , Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO247AC
-
Напряжение К-Э максимальное900
-
Ток коллектора максимальный при 25°C51 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.7 В
-
Время включения71 нс
-
Время выключения150 нс
-
Время восстановления диода90 нс
-
Максимальная мощность200 Вт
-
Заряд затвора160 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеIGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz