IRLML6402PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Device Marking:IRLML6402; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No. of:3; Power Dissipation:1.3W; Power, Pd:1.3W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Time, Fall:381s; Time, Rise:48ns; Time, trr Typ:29ns; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vgs th Max:-0.95V; Voltage, Vgs th Min:-0.4V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 1.3 Вт, Примечание Transistor
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность1.3 Вт
-
ПримечаниеTransistor