IRLML6402TRPBF / Infineon
Не поставляется
MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No. of:3; Power Dissipation:1.3W; Power, Pd:1.3W; Quantity, Reel:3000; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Time, Fall:381s; Time, Rise:48ns; Time, trr Typ:29ns; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vgs th Max:-0.95V; Voltage, Vgs th Min:-0.4V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -20 В, Ток стока номинальный при 25°C 3.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 65 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 135 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 12 В, Заряд затвора 12 нКл, Рассеиваемая мощность 1.3 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel , Ёмкость затвора 633 пФ
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C3.7 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)65 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min65 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max135 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора12 В
-
Заряд затвора12 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.3 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
-
Ёмкость затвора633 пФ