Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
---|---|---|---|---|---|
3019224 шт | — |
6,74
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
|
|||||
|
|||||
|
|||||
Показать еще предложения
Скрыть предложения |
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.